谦合益邦4层3D DRAM存算一体芯片点亮：三维集成进入工程验证

谦合益邦披露，其首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片已完成回片并点亮。现有材料显示，该芯片采用三维集成原生计算架构，以逻辑层为基础，在其上堆叠4层DRAM，形成“4+1”结构。

公司官网将3D DRAM与SRAM混合堆叠列为3D LPU架构的组成部分，应用目标指向大模型推理中的数据搬运、存储容量和带宽问题。本次披露的进展为芯片点亮。

三维堆叠推动推理芯片与存储封装协同

大模型推理过程中，计算单元与存储之间需要频繁调度数据。将逻辑层与多层DRAM进行三维堆叠，意在缩短数据传输路径，并提高单位空间内的集成度。芯片完成点亮，为存算一体与三维集成路线增加了工程验证案例，也把设计、制造、测试和先进封装环节纳入同一协同链条。

对AI推理芯片领域而言，这类架构扩展了围绕存储带宽和数据搬运效率的研发方向；对三维集成与封装环节，项目推进将带来相应的验证需求。由于本次披露聚焦于芯片点亮，产业传导目前主要体现为技术开发和工程协同，尚未延伸为明确的量产采购信号。

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