英特尔与阿斯麦7月披露，英特尔已在代号 Panther Lake 的 Core Ultra Series 3 处理器的部分 Intel 18A 工艺层中使用 High-NA EUV 光刻技术，并以这一工艺组合出货高产量逻辑产品。此次导入覆盖的是特定工艺层，而非整颗处理器均由 High-NA EUV 完成图形化。英特尔把这项工艺选项用于部分18A产品层，以积累制造实施数据，并为后续节点准备条件。
这一导入建立在此前的设备部署之上。2024年，英特尔在美国俄勒冈州希尔斯伯勒研发基地完成首台商用 High-NA EUV 系统集成，之后又安装并验收第二代 TWINSCAN EXE:5200B。阿斯麦披露，该代设备在产出、套刻精度和光源方面有所改进；英特尔则表示，针对选定层的工艺认证使既有设备组合获得更高产出，并为后续工艺调整保留空间。
台积电在2026年北美技术论坛公布了延伸至2029年的制程规划，涵盖A12、A13和N2U等节点。其公开路线图显示，台积电计划在这一期间不把 High-NA EUV 用于节点量产。由此，英特尔已在18A的部分层先行导入该设备，台积电则依照既定节点路线推进。先进制程的差异不再只体现于节点名称，设备进入生产流程的时点及其与工艺的组合，同样构成制造路线的一部分。
设备导入节奏对制造链条的影响
英特尔在已出货产品的部分层使用 High-NA EUV，为先进光刻设备进入量产制造提供了具体场景。设备从研发部署走向选定层的工艺认证，相关需求会传导至设备安装、工艺协同和后续服务环节；晶圆制造商则需据此安排后续节点的产能组织与研发资源。台积电在已公布的2029年前路线中暂不采用该设备，意味着先进制程供给将延续不同的设备和工艺组合。对英特尔与阿斯麦而言，这一进展直接体现为制造协同的推进；对产业链而言，不同导入节奏会使设备应用和工艺配套在不同节点分别展开。
| 涉及行业 | 行业影响分析 | 简要理由 |
|---|---|---|
| 半导体 | 中性 | 两家头部代工企业采用不同设备导入节奏，先进制程竞争继续围绕工艺与产能组合展开。 |
| 半导体材料与设备 | 利好 | High-NA EUV已进入部分高产量逻辑产品制造，为先进光刻设备的量产应用增加了实际场景。 |
| 涉及的上市公司 | 证券代码 | 个股影响分析 | 简要理由 | 公允价值参考 | 分析师平均目标价参考 |
|---|---|---|---|---|---|
| 英特尔 | NASDAQ：INTC | 利好 | 公司在18A部分产品层完成High-NA EUV导入并出货相关逻辑产品，制造路线取得新的量产节点。 | 105美元 | 平均125.14美元 |
| 阿斯麦 | NASDAQ：ASML | 利好 | 其High-NA EUV设备进入高产量逻辑产品的部分制造流程，设备量产应用得到推进。 | 2,050美元 | 平均2,465.88美元 |
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